Infineon errichtet in Villach eine Fertigung für GaN-basierte Leistungshalbleiter. Die Produktionsanlage arbeitet mit 300-Millimeter-Wafern und ist für Großserien ausgelegt. Sie soll die Verfügbarkeit effizienter Chips für wichtige Industriebereiche verbessern. Bis 2034 plant das Unternehmen Ausgaben von etwa 1,1 Milliarden Euro. Bestehende Reinraumflächen werden für die zusätzlichen Prozessschritte technisch umgebaut. Die Fertigung soll Ende 2027 starten. Die erzeugte Menge richtet sich nach dem jeweiligen Marktvolumen.
Inhaltsverzeichnis: Das erwartet Sie in diesem Artikel
Neue Produktionsstrukturen unterstützen GaN-Leistungshalbleiter in großen Stückzahlen aus Villach
Infineon nutzt in Villach den 300-Millimeter-Standard für eine neue GaN-Fertigungsbasis. Dadurch wird die Produktion von Leistungshalbleitern auf hohe Mengen ausgerichtet. Die große Waferfläche schafft Kapazität für zahlreiche Bauelemente pro Durchlauf. Sie erleichtert zudem die Umsetzung wiederholbarer und effizienter Herstellungsprozesse. GaN kann damit für weitere Marktanforderungen industriell weiterentwickelt werden. Der Standort profitiert von zusätzlicher Erfahrung in modernen Fertigungstechnologien. Villach festigt seine Position als weltweit bedeutender Kompetenzstandort für Leistungshalbleiter.
Bestehende Reinräume schaffen wirtschaftliche Voraussetzungen für GaN-Fertigung in Villach
Die vorhandene Reinraumfläche bietet eine unmittelbar nutzbare Ausgangsbasis für Infineon. Durch Modernisierung entstehen dort geeignete Bedingungen für neue Fertigungsabläufe künftig. Ein separater Neubau mit eigener Grundinfrastruktur wird dadurch entbehrlich weitgehend. Das Projekt nutzt bestehende Anschlüsse und betriebliche Organisationsstrukturen weiter konsequent. Dadurch können Kosten besser kontrolliert und Termine verlässlich geplant werden. Der Kapazitätsaufbau erfolgt abschnittsweise entsprechend der Entwicklung des Chipmarktes jeweils. Diese Planung reduziert wirtschaftliche Risiken bei schwankender Nachfrage merklich insgesamt.
Energieeffizienz durch Galliumnitrid gewinnt in Schlüsselindustrien zunehmend Bedeutung weltweit
GaN-Bauelemente unterstützen Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit niedrigeren Verlusten übertragen. Diese Eigenschaften fördern die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung adressiert daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Bedarfsgesteuerter Kapazitätsaufbau begleitet GaN-Produktionsstart in Villach Ende 2027 planmäßig
Infineon plant, Ende 2027 die Fertigung von GaN-Leistungshalbleitern am Standort Villach aufzunehmen. Bis zum Jahr 2034 soll das Projekt Investitionen von etwa 1,1 Milliarden Euro umfassen. Die Produktionskapazität wird abhängig von der Marktnachfrage aufgebaut. Das Unternehmen kann den Ausbau dadurch an die tatsächliche Entwicklung von Kundenbedarf und Absatz anpassen. Diese flexible Planung verhindert einen unkontrollierten Kapazitätszuwachs und ermöglicht zugleich eine schnelle Erweiterung, wenn zusätzliche Leistungshalbleiter am Markt benötigt werden.
Förderung sichert zusätzliche europäische Produktionskapazität für moderne Leistungselektronik künftig
Der Europäische Chips Act finanziert das Fertigungsprojekt mit 319 Millionen Euro. Damit wird der Ausbau einer zusätzlichen Produktionskapazität für Leistungshalbleiter innerhalb Europas unterstützt. Die Förderung zielt auf eine stärkere technologische Souveränität und auf belastbarere Lieferstrukturen. Die vorgesehene Hochvolumenfertigung erweitert das Angebot an modernen Bauelementen für europäische Industriebranchen. Sie kann zudem Investitionen in Produktionswissen, Prozessqualität und Infrastruktur anstoßen. Auf diese Weise gewinnt Europa zusätzliche Handlungsfähigkeit bei strategisch wichtigen elektronischen Schlüsselkomponenten dauerhaft.
Infineon entwickelt Villach zu einem bedeutenden Zentrum der GaN-Fertigung weiter. Die vorhandenen Reinräume werden für moderne 300-Millimeter-Prozesse technisch ertüchtigt gezielt. Das erlaubt hohe Stückzahlen ohne einen vollständigen Neubau zusätzlicher Gebäude. Die geplante Linie erzeugt Halbleiter für besonders effiziente Leistungsanwendungen künftig. Ihr Nutzen zeigt sich bei Stromversorgungen mit hohen Leistungsdichten besonders. Die Erweiterung erfolgt schrittweise und orientiert sich am Kundenbedarf konsequent. Mit europäischer Hilfe wächst eine robustere regionale Halbleiterbasis dauerhaft weiter.
